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微制结构的选择性阶梯覆盖范围

摘要:

本发明一般涉及微型光学台式器件中光学表面的金属化或薄膜涂层,特别涉及为微光学台式设备内的微加工结构中的光学表面提供选择性阶跃覆盖的阴影掩膜。关于制造。 通常,用于生产微光学元件和微机电系统组件,这些组件可以在绝缘体上硅(SOI)晶圆上处理平行于绝缘体上硅(SOI)衬底传播的自由空间光束。深度反应离子蚀刻(DRIE)工艺用于形成深度蚀刻的微光学平台。传统上,单级阴影掩膜用于在深度蚀刻的微光学平台和选择性金属化或薄膜涂层中对光学表面进行阶跃覆盖。

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JP2017-542406

美国
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发明家:
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当前受让人:
SI 软件系统
状态:
Granted
状态日期:
January 5, 2022
域:
SI 软件系统
全球应用程序:
2015. 美国。2026。kr au ca wo es ep cn mx jp. 2017。2017 年美国。2018 年美国。il

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