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Emissor térmico estruturado à base de silício

Resumo:

É fornecida uma fonte de radiação óptica produzida a partir de um material semicondutor desordenado, como silício preto. A fonte de radiação óptica inclui um substrato semicondutor, uma estrutura semicondutora desordenada gravada no substrato semicondutor e um elemento de aquecimento disposto proximalmente à estrutura semicondutora desordenada e configurado para aquecer a estrutura semicondutora desordenada a uma temperatura na qual a estrutura semicondutora desordenada emite radiação infravermelha térmica.

Imagens

PCT/US2016/041357

estados unidos
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inventor:
Yasser M. Sabry, Diana Khalil, Tarik E. Bourouina, Momen Anwar
destinatário atual:
Sistemas SI Ware | SAE | SI Ware Systems Inc
Status:
Allowed
Data de status:
June 26, 2017
domínio:
Sistemas SI Ware | SAE | SI Ware Systems Inc
aplicações em todo o mundo:
2015. us us. 2026. kr au ca wo es ep cn mx jp. 2017. us us 2018. il

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