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结构化硅基热发射器

摘要:

本发明提供了一种由无序的半导体材料(例如黑硅)产生的光辐射源。光辐射源包括半导体衬底、蚀刻在半导体基板上的无序半导体结构和位于无序半导体结构附近、配置为将无序半导体结构加热到无序半导体结构发射热红外辐射的温度的加热元件。

图片

PCT/US2016/041357

美国
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发明家:
Yasser M. Sabry、Diaa Khalil、Tarik E. Bourouina、Momen Anwar
当前受让人:
SI Ware Si系统 SAE SI Ware 系统公司
状态:
Allowed
状态日期:
June 26, 2017
域:
SI Ware Si系统 SAE SI Ware 系统公司
全球应用程序:
2015. 美国。2026。kr au ca wo es ep cn mx jp. 2017。2017 年美国。2018 年美国。il

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